7、四边无引线扁平封装（QFN）
QFN（Quad Flat Non-leaded package）封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点；其中陶瓷QFN也称为LCC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
QFN主要用于集成电路封装，MOSFET不会采用。不过因Intel提出整合驱动与MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封装（“56”指芯片背面有56个连接Pin）的DrMOS。
需要说明的是，QFN封装与超薄小外形封装(TSSOP)具有相同的外引线配置，而其尺寸却比TSSOP的小62%。根据QFN建模数据，其热性能比TSSOP封装提高了55%，电性能(电感和电容)比TSSOP封装分别提高了60%和30%。最大的缺点则是返修难度高。
采用QFN-56封装的DrMOS
传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。
随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。
瑞萨第2代DrMOS
经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低；借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
另外，采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS（Auto Phase Switching）。
除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装（DFN）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。
8、塑封有引线芯片载体(PLCC)
PLCC（Plastic Quad Flat Package）外形呈正方形，尺寸比DIP封装小得多，有32个引脚，四周都有管脚，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。
其引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84不等，J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
PLCC封装是比较常见，用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路，主板BIOS常采用的这种封装形式，不过目前在MOS管中较少见。
PLCC封装样式
主流企业的封装与改进
由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。
1、瑞萨（RENESAS）WPAK、LFPAK和LFPAK-I封装
WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。
瑞萨WPAK封装尺寸
LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK，但比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。
瑞萨LFPAK和LFPAK-I封装
2、威世（Vishay）Power-PAK和Polar-PAK封装
Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。
威世Power-PAK1212-8封装
威世Power-PAK SO-8封装
Polar PAK是双面散热的小形封装，也是威世核心封装技术之一。Polar PAK与普通的so-8封装相同，其在封装的上、下两面均设计了散热点，封装内部不易蓄热，能够将工作电流的电流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半导体公司提供Polar PAK技术授权。
威世Polar PAK封装
3、安森美（Onsemi）SO-8和WDFN8扁平引脚（Flat Lead）封装
安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了紧凑型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封装，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低的特性。
安森美SO-8扁平引脚封装
安森美WDFN8封装
4、恩智浦（NXP）LFPAK和QLPAK封装
恩智浦（原Philps）对SO-8封装技术改进为LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装；而QLPAK具有体积小、散热效率更高的特点，与普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面积为6*5mm，同时热阻为1.5k/W。
恩智浦LFPAK封装
恩智浦QLPAK封装
5、意法（ST）半导体PowerSO-8封装
意法半导体功率MOSFET芯片封装技术有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改进版，此外还有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H2PAK-2等封装。
意法半导体Power SO-8封装
6、飞兆（Fairchild）半导体Power 56封装
Power 56是Farichild的专用称呼，正式名称为DFN 5×6。其封装面积跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封装又节约元件净空高度，底部Thermal-Pad设计降低了热阻，因此很多功率器件厂商都部署了DFN 5×6。
Fairchild Power 56封装
7、国际整流器（IR）Direct FET封装
Direct FET能在SO-8或更小占位面积上，提供高效的上部散热，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。
Direct FET封装属于反装型，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。Direct FET封装极大地改善了散热，并且占用空间更小，散热良好。
国际整流器Direct FET封装
IR Direct FET封装系列部分产品规格
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